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時(shí)域反射物位計(jì)BM100

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江蘇潤(rùn)儀儀表有限公司

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時(shí)域反射物位計(jì)BM100 特點(diǎn) 可同時(shí)測(cè)量物位和界面測(cè)量不受粉塵、蒸汽和泡沫的影響測(cè)量不受介電常數(shù)、溫度和壓力變化的影響測(cè)量不受掛料的影響測(cè)量不受罐形狀的影響

詳細(xì)介紹

時(shí)域反射物位計(jì)BM100

特點(diǎn)

可同時(shí)測(cè)量物位和界面
測(cè)量不受粉塵、蒸汽和泡沫的影響
測(cè)量不受介電常數(shù)、溫度和壓力變化的影響測(cè)量不受掛料的影響
測(cè)量不受罐形狀的影響
無(wú)需標(biāo)定
BM100可同時(shí)測(cè)量物位和界面
BM102為兩線制設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)

BM100工作原理
根據(jù)介質(zhì)的介電常數(shù)，可以分為以下兩種情況
1.介的介電常數(shù) œr>1.8（直接反射方式）
2.介質(zhì)的介電常數(shù)œr<1.8（罐底反射TBF方式）
1.介電常數(shù)>1.8的物料這時(shí)BM100系列的工作原理稱為“直接反射式”，即通過(guò)計(jì)算液面的反射情況直接計(jì)算出所測(cè)量的液位，以下為兩種不同的應(yīng)用。
A.液位測(cè)量信號(hào)接收器接收*個(gè)液面反射信號(hào)，微波脈沖的返回時(shí)間直接與液位成正比。
B.界面測(cè)量只有當(dāng)*個(gè)反射面的介電常數(shù)低于第二個(gè)反射面的介電常數(shù)時(shí)，才能測(cè)量界面的液位。對(duì)于界面測(cè)量，*個(gè)反射面的余波繼續(xù)在介質(zhì)中傳播，直至遇到界面，再反射，測(cè)量該回波的時(shí)間差即測(cè)量界面。 2.介電常數(shù)<1.8的物料測(cè)量介電常數(shù)較小的介質(zhì)，其表面反射脈沖能量低，因此不能采用直接反射方式來(lái)測(cè)量液位。針對(duì)這種情況，采用

TBF（罐底跟蹤原理），即儀表在罐底設(shè)定一短路位置，而探頭的長(zhǎng)度是已知的，微波脈沖以光速在空氣中傳播，遇介質(zhì)時(shí)減速（取決于介質(zhì)的介電常數(shù)），當(dāng)波遇短路位置時(shí)返回。微波在空氣中的返回時(shí)間是已知的，從而可計(jì)算出微波反射和返回的時(shí)間差，這個(gè)時(shí)間差與物位成正比。 TBF方式比直接方式精度低。

BM100性能指標(biāo)

1. 應(yīng)用范圍	液體、顆粒、粉末、液化氣及氨水等特殊介質(zhì)物位和界面
2. 測(cè)量范圍	≤ 6m 單桿 ≤ 單纜 ≤ 6m 雙桿 / 同軸 ≤ 60m 雙纜
3. 精度	直接反射方式 L《6m：±3mm死區(qū)外 —— L>6m：±3mm±0.01% TBF方式 ±100mm或±20mm（當(dāng)介電常數(shù)恒定時(shí)）
分辨率 / 重復(fù)性	1mm
介電常數(shù)	界面測(cè)量 œr>2 物位測(cè)量 œr>1.05
4. 探頭形式 / 材質(zhì)	不銹鋼 316/316L 哈氏合金 C276 ，鈦，鉭
5. 工作壓力	－ 1 ～＋ 40bar 可選： 100bar 或者更高
6. 工作溫度	法蘭溫度：－ 30…… ＋ 150Ç ，介質(zhì)溫度：－ 50…… ＋ 150Ç
溫度漂移	0.01%/Ç
7. 環(huán)境溫度	－ 30…… ＋ 50Ç
8. 過(guò)程溫度	標(biāo)準(zhǔn) DN100 ， PN16 ；其他可選
9. 外殼防護(hù)等級(jí)	IP67
10. 電源	24V AC/DC 或 110 ～ 240VAC ＋ 10 ％；功耗大 9VA
11. 輸出	1 個(gè) 4 ～ 20mA 無(wú)源可選： 2 個(gè) 4 ～ 20mA
12. 通訊	KROHNE 或 HART 通訊協(xié)議
現(xiàn)場(chǎng)總線	按 Krohne 協(xié)議的 RS485 或其他可選
13. 標(biāo)準(zhǔn)	符合 EN 50082 － 2 EN50082 － 2 標(biāo)準(zhǔn)
14. 現(xiàn)場(chǎng)用戶界面	2 行 LCD 加 6 個(gè)狀態(tài)符
語(yǔ)言	英、法、德
15. 重量	不帶探頭非防爆型： 8Kg ；帶 DN 法蘭，防爆： 9Kg
16. 認(rèn)證	CENELEC/EEx de/d IIC/IIB T6-T3,Zone,0,10,11 FM/Div1/Div2;GL